其中，4纳米工艺将继续使用现有的FinFET制造技术，并将在高通Snapdragon 845和三星Exynos旗舰芯片中使用。
但是，在3 nm工艺节点，三星放弃了FinFET技术，并开始转向GAA纳米技术。
详细如下。
7LPP（7nmLowPowerPlus）
三星在7LPP工艺中首次使用EUV EUV光刻技术，并计划于今年晚些时候开始生产。
主要IP正在开发中，将于明年上半年完成。
5LPE（5nmL低功耗早期）
继续基于7LPP流程进行创新和改进。这可以进一步减小芯片的核心面积并产生超低能耗。
4LPE / LPP（4nLowPowerEarly / Plus）
经过行业验证的FinFET立体晶体管技术的最新应用与以前的5LPE工艺的成熟技术相结合，可实现更小的芯片面积，更高的性能以及更快的性能和更快的生产速度。客户也可以方便地进行更新。
3GAAE / GAAP（3nmGate-All-AroundEarly / Plus）
全能门是环绕声门。与当前的三门FinFET Tri-Gate设计相比，晶体管的基础结构已经过重新设计，以超越当前技术的物理和性能限制，改善门控制并显着提高性能会的。。
三星的GAA技术称为MBCFET（多桥沟道FET），是使用纳米层器件开发的。
三星的技术似乎主要用于制造移动处理器等低功耗设备，但在高性能领域，三星已准备好用于大型数据中心，AI人工智能和机器学习。还具有ML，7LPP和后续流程：可以服务并拥有完整的平台解决方案。
例如，三星设计2的100 Gbps高速+ SerDes（串行转换解串器）。
5D / 3D异构包装技术。
对于5G和IoT部门的低功耗微控制器（MCU）和下一代网络设备，三星还提供了完整的交钥匙平台解决方案，从28 / 18nmeMRA / RF到10 / 8nm FinFET。
同时，三星在补充讲话中表示，KeyIP将在2019年上半年提供。这意味着该客户的处理器芯片已经从三星订购，并将于明年上市。
7纳米芯片电话何时可用？
关于7纳米制程，到今年年底是否会有基于三星7纳米制程芯片的手机？
高通公司的下一代Snapdragon 855芯片也将交付给三星进行生产，但可能性可能不大，但是即使有大量生产，也有望在今年大规模生产后立即发布。预计不会在今年第四季度末发布。
当然，三星的7纳米工艺对OEM开放，所有芯片制造商都可以订购，包括他们自己的Exynos芯片。
但是，华为麒麟芯片和Apple A芯片等产品以前可以使用某些制造商的7纳米芯片。
据报道，华为的下一代麒麟980芯片是基于7纳米工艺生产的，并将于今年晚些时候发布。同时，苹果公司的A12似乎已经开始制作原型。台积电生产的这7纳米芯片可能相等或更好，三星此前已进入市场。
实际上，上述处理技术对普通手机用户没有意义。三星只是简单地告诉我们，现有的工艺技术可以在几代产品中继续使用，并且有可能用于未来最先进，最小的工艺。
那么什么时候这些新工艺技术会出现呢？
如果三星的路线图没有改变，三星将在2019年生产5纳米芯片，在2020年生产4纳米芯片，在2021年生产3纳米芯片。